什麼是TSV(矽穿孔)

正確答案：B. 單晶 3D 整合（循序 3D 整合）

在單晶 3D 整合中，製作完第一層電晶體後，在其上形成新的半導體層或將其薄薄貼合，再製作第二層電晶體。層間可以用導孔（via）的大小（數十 nm）連接，比以 TSV 堆疊晶片的連接密度高出一萬倍以上。不過，為了避免製作上層時的熱損傷下層或配線，需要約 500 ℃ 以下的低溫製程。CFET 也屬於這種方式。

正確答案：C. 約775 µm

300 mm晶圓的標準厚度約為775 µm。口徑越大，為了防止因自重造成的彎曲與搬運中的破裂，厚度也越厚(150 mm約675 µm，200 mm約725 µm)。元件所需要的只有表面的數µm，但為了讓晶圓能通過各製程，需要有足夠的厚度來維持強度。完成後，為了封裝薄型化、散熱以及TSV，有時會研削背面薄化至數十µm。