移動度とは

いどうど

電界をかけたときのキャリアの動きやすさ。シリコンでは電子の移動度が正孔より大きい。

この用語の分野: 半導体物性

解説の中の「移動度」

「移動度」が出てくる問題(61問)

  1. シリコンにおける電子と正孔の移動度の比較として正しいものはどれか。
  2. 半導体のキャリアの拡散係数Dと移動度μの関係を表すアインシュタインの関係式はどれか。(k:ボルツマン定数、T:絶対温度、q:電気素量)
  3. 不純物濃度の低いシリコンで、温度が上がると移動度が下がる主な理由はどれか。
  4. キャリアの移動度の単位として正しいものはどれか。
  5. 電子密度n、正孔密度p、電子の移動度μn、正孔の移動度μp、電荷素量qのとき、半導体の導電率σを表す式はどれか。
  6. シリコンの不純物濃度を高くすると、キャリアの移動度は一般にどうなるか。
  7. 不純物の少ないシリコンの室温における電子の移動度に最も近い値はどれか。
  8. MOSFETのチャネルの移動度が、シリコン結晶内部の移動度より小さくなる主な理由として正しいものはどれか。
  9. 電子の移動度が非常に大きく、磁気センサ(ホール素子)などに使われる化合物半導体はどれか。
  10. GaAsに強い電界を加えると、電子が移動度の低い別の谷(バレー)に移り、電界を上げても電流が減る負性微分抵抗が現れる。これを利用した発振素子はどれか。
  11. (100)面のウエハ上に一般的な向きでつくったFinFETでは、チャネルとなるフィンの側面は主に(110)面になる。このことによる移動度への影響として正しいものはどれか。
  12. 真性半導体の抵抗率の温度依存性として正しいものはどれか。
  13. 結晶中の電子の運動を、外力に対する応答から自由電子と同じように扱うために導入される質量を何と呼ぶか。
  14. ホール効果の測定から分かることとして正しいものはどれか。
  15. ドナー濃度5×10¹⁶ cm⁻³とアクセプタ濃度2×10¹⁶ cm⁻³の両方を含むシリコン(室温、すべてイオン化)の性質として正しいものはどれか。

関連する用語

しきい値電圧 SiGe(シリコンゲルマニウム) CMOS GaAs(ガリウムヒ素) 有効質量 FinFET バンドギャップ エピタキシャル成長 GAA(ゲートオールアラウンド) アクセプタ

用語集の一覧へ