アニールとは

あにーる

熱処理のこと。イオン注入後の結晶欠陥の回復や不純物の活性化などに用いる。

この用語の分野: イオン注入

解説の中の「アニール」

「アニール」が出てくる問題(24問)

  1. イオン注入後にアニール(熱処理)を行う主な目的として正しいものはどれか。
  2. イオン注入後のアニールの初期に、注入で生じた格子間シリコンの影響で、ボロンなどの拡散が一時的に速くなる現象を何と呼ぶか。
  3. 同じアニール条件で、イオン注入のドーズ量を増やすと注入層のシート抵抗は一般にどうなるか。
  4. アニールでドーパントを活性化させるとき、電気的に活性化できる濃度の上限を決める性質はどれか。
  5. エピタキシャル成長やアニールに使われる水素ガスの危険性として正しいものはどれか。
  6. MOSFETのゲート長(マスク上や加工後のゲート電極の長さ)と、実効チャネル長の関係として一般的に正しいものはどれか。
  7. MOCVD法でマグネシウムを添加したGaNが、成長直後には高抵抗でp型にならない主な理由と、その対策の組み合わせとして正しいものはどれか。
  8. ゲートラスト(リプレースメントメタルゲート)プロセスの説明として正しいものはどれか。
  9. 表面マイクロマシニングで構造層に使うポリシリコンなどの薄膜で、内部に大きな残留応力があるとどのような問題が起こるか。
  10. ウエハを熱処理して表面付近の酸素を外に拡散させ、デバイスをつくる表面に欠陥の少ない層をつくる。この層を何と呼ぶか。
  11. エピタキシャル成長中にドーピングガスを流し、成長と同時に不純物を添加することを何と呼ぶか。
  12. 多数のウエハを一度に熱酸化するときに一般的に使われる装置はどれか。
  13. ランプなどでウエハを1枚ずつ、数秒程度の短時間で高温に加熱する熱処理を何と呼ぶか。
  14. 同じ希フッ酸でエッチングしたとき、熱酸化膜とCVDで成膜した酸化膜のエッチング速度の一般的な関係として正しいものはどれか。
  15. 同じ温度で不純物を拡散させるとき、拡散時間を4倍にすると、不純物が広がるおよその距離は何倍になるか。

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