アスペクト比とは

あすぺくとひ

穴や溝の深さと幅(開口径)の比。高いほど加工や成膜の難しさが増す。3D NANDのメモリホールでは数十以上に達する。

この用語の分野: エッチング

解説の中の「アスペクト比」

「アスペクト比」が出てくる問題(12問)

  1. エッチングで形成した穴や溝のアスペクト比とは何か。
  2. 高アスペクト比のエッチングで見られる形状異常の例として正しいものはどれか。
  3. ウエハを極低温に冷やしてエッチングする方法が、高アスペクト比の加工で注目されている理由として正しいものはどれか。
  4. 高アスペクト比のパターンのプラズマエッチングで、電子が側壁で遮られてパターンの上部に負の電荷がたまり、正イオンが底で曲げられて形状異常やダメージを起こす現象はどれか。
  5. 高アスペクト比のパターンを洗浄・乾燥するときに、パターンの倒れが起こる主な原因はどれか。
  6. DRAMのキャパシタの誘電体膜に、酸化ジルコニウムなどのHigh-k材料が使われる理由として正しいものはどれか。
  7. 将来のDRAMの大容量化の手段として研究開発が進められている3D DRAMの考え方として正しいものはどれか。
  8. ALD(原子層堆積)の特徴として正しいものはどれか。
  9. スパッタした原子をイオン化し、ウエハにかけたバイアスで垂直に引き込むスパッタ方式の主な目的はどれか。
  10. 非常に狭く深い溝を、流動性のある膜で下から埋めてから固化させる成膜方法として正しいものはどれか。
  11. パターンが細く深くなるほどエッチング速度が低下する現象を何と呼ぶか。
  12. 配線の幅を変えずに厚さ(高さ)を大きくしたときの影響として正しいものはどれか。

関連する用語

3D NAND ラジカル ALD 選択比 バンドギャップ プリカーサ(前駆体) プラズマ シード層 CVD STI(シャロートレンチ分離)

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