ボッシュプロセス(Deep RIE)とは
ぼっしゅぷろせす
エッチングと側壁保護膜の堆積を短い周期で交互に繰り返し、シリコンに深く垂直な穴や溝を掘るドライエッチング技術。MEMSやTSVの加工に使われる。
この用語の分野: MEMS・センサ
解説の中の「ボッシュプロセス(Deep RIE)」
ボッシュプロセスでは、SF6プラズマによるシリコンのエッチングと、C4F8による保護膜の堆積を数秒ごとに交互に繰り返します。
MEMSの製造で使われるDeep RIE(ボッシュプロセス)の説明として正しいものはどれか。基板そのものを裏面から深く削って膜や穴をつくる方法はバルクマイクロマシニングで、KOHによる異方性エッチングやDeep RIEが使われ、圧力センサのダイヤフラムなどをつくります。
基板の上に積層した薄膜を加工して可動構造をつくるMEMSの加工法はどれか。TSVは、深掘りエッチング(ボッシュプロセスなど)でシリコンに穴をあけ、穴の内面に絶縁膜とバリア層、シード層を形成したあと、めっきで銅などを埋め込んでつくります。
TSVの一般的な形成工程として正しいものはどれか。
「ボッシュプロセス(Deep RIE)」が出てくる問題(3問)
関連する用語
MEMS TSV(シリコン貫通電極) 異方性エッチング シード層 加速度センサー 犠牲層エッチング コリオリ力 ジャイロスコープ スティクション 静電容量検出