多層配線とは
たそうはいせん
絶縁膜を挟んで配線の層を何層も重ね、ビアで上下をつなぐ構造。先端のLSIでは10層以上になる。
この用語の分野: 配線プロセス
解説の中の「多層配線」
多層配線では、配線の層と絶縁膜を交互に重ね、上下の層の配線をビアでつなぎます。
LSIの「多層配線」の説明として正しいものはどれか。トランジスタをつくる部分(FEOL)と多層配線をつくる部分(BEOL)の中間にある、ソース・ドレインやゲートへのコンタクト、局所的な接続などの工程・構造をMOL(Middle of Line)と呼びます。
トランジスタ(FEOL側)と多層配線をつなぐ、コンタクトや局所的な配線の部分を指して使われる言葉はどれか。TSVは形成するタイミングによって、トランジスタより前に作るビアファースト、トランジスタの形成後・多層配線の前に作るビアミドル、配線の形成後やウエハを薄くしたあとに裏面から作るビアラストに分けられます。
TSVを形成するタイミングによる分類で、トランジスタを形成したあと、多層配線を形成する前にTSVを作る方式はどれか。
「多層配線」が出てくる問題(10問)
- 多層配線などの工程で、CMPによってウエハの表面を平坦にすることが必要になる主な理由はどれか。
- 多層配線におけるビアの説明として正しいものはどれか。
- 多層配線で、上層の配線ほど太く厚くする主な理由はどれか。
- LSIの「多層配線」の説明として正しいものはどれか。
- トランジスタ(FEOL側)と多層配線をつなぐ、コンタクトや局所的な配線の部分を指して使われる言葉はどれか。
- 微細化が進んだ多層配線で、ビアの抵抗が問題になってきた主な理由として正しいものはどれか。
- TSVを形成するタイミングによる分類で、トランジスタを形成したあと、多層配線を形成する前にTSVを作る方式はどれか。
- CMP(化学機械研磨)の説明として正しいものはどれか。
- CMPが、熱によるリフローやエッチバックによる平坦化と比べて優れている点として正しいものはどれか。
- 先端ロジックLSIの配線層の数として最も近いものはどれか。
関連する用語
CMP ビア 焦点深度(DOF) コンタクト デュアルダマシン法 歩留まり MOL(ミドル・オブ・ライン) バリアメタル ALD TSV(シリコン貫通電極)