DRAM
3D DRAMとHBMの違いとして正しいものはどれか。
- A3D DRAMは1枚のチップの中でメモリセルそのものを縦に積み重ねる技術で、HBMは完成したDRAMのチップをTSVで積み重ねたものである
- B3D DRAMとHBMは同じ技術の別名である
- CHBMは1枚のチップの中でメモリセルを縦に積む技術で、3D DRAMはDRAMのチップを横に並べる技術である
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正解：A. 3D DRAMは1枚のチップの中でメモリセルそのものを縦に積み重ねる技術で、HBMは完成したDRAMのチップをTSVで積み重ねたものである
HBMは、完成したDRAMのチップを何枚もTSVでつないで積み重ね、プロセッサの近くに置いて広い帯域を得るメモリで、チップの積層です。一方、3D DRAMは、3D NANDのように1枚のチップの中でメモリセルの層を縦に積み重ね、平面の微細化に頼らずに容量を増やそうとする技術です。2020年代半ばの時点で、3D DRAMは研究開発の段階にあります。
- A. 正しい。積み重ねる対象が、セルかチップかの違いです。
- B. 積み重ねる対象が違う別の技術です。
- C. 説明が逆で、HBMはチップの積層です。