半導體物性
以三選一題型確認能隙、載子、施體與受體等半導體物性的基本觀念，附有解說，可紮實打好基礎。
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半導體物性的重點
半導體的性質，主要取決於價帶與導帶之間的能量差——能隙。矽的能隙在室溫下約為1.12 eV，既不像絕緣體那麼大，也不像金屬那樣為零。
摻入雜質後，就會成為電子較多的n型或電洞較多的p型半導體。載子濃度的溫度相依性、遷移率，以及漂移電流與擴散電流的差異，是日後理解元件動作的基礎。
以三選一題型確認能隙、載子、施體與受體等半導體物性的基本觀念，附有解說，可紮實打好基礎。
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半導體的性質，主要取決於價帶與導帶之間的能量差——能隙。矽的能隙在室溫下約為1.12 eV，既不像絕緣體那麼大，也不像金屬那樣為零。
摻入雜質後，就會成為電子較多的n型或電洞較多的p型半導體。載子濃度的溫度相依性、遷移率，以及漂移電流與擴散電流的差異，是日後理解元件動作的基礎。