半導體物性 關於矽的能帶結構類型，下列何者正確？ A直接躍遷型 B間接躍遷型 C沒有能隙的金屬型 查看答案與解析 正確答案：B. 間接躍遷型 矽是間接躍遷型，其導帶底部與價電帶頂端在動量（波數）空間中位於不同位置。電子與電洞複合並發光時，必須同時有補足動量的聲子（晶格振動）參與，因此發光效率非常低。所以LED和雷射使用GaAs、InP、GaN等直接躍遷型。另一方面，光的吸收可藉由聲子的協助而發生，因此矽也能用於受光元件。