반도체 물리
밴드갭, 캐리어, 도너와 억셉터 등 반도체 물리의 기초를 객관식 문제와 해설로 연습합니다.
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반도체 물리: 핵심 정리
반도체의 성질은 가전자대와 전도대의 에너지 차이인 밴드갭에 의해 크게 좌우됩니다. 실리콘의 밴드갭은 상온에서 약 1.12 eV로, 절연체만큼 크지 않고 금속처럼 0도 아닙니다.
불순물을 첨가하면 전자가 많은 n형 반도체나 정공이 많은 p형 반도체가 만들어집니다. 캐리어 농도의 온도 의존성, 이동도, 드리프트 전류와 확산 전류의 차이는 이후에 배울 소자를 이해하는 기초가 됩니다.