半導體物性
矽的能隙在溫度上升時會如何變化？
- A略微變小
- B略微變大
- C不受溫度影響而維持固定
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正確答案：A. 略微變小
溫度上升時，由於晶格的熱膨脹以及電子與晶格振動的交互作用，能隙會略微變小。在矽中，室溫附近約為 −0.3 meV/K，0 K時約為1.17 eV，300 K時約為1.12 eV（可用瓦許尼（Varshni）公式表示）。二極體的順向電壓以約 −2 mV/℃ 下降，主要是因為ni增加，能隙縮小則加強了這個效果。此性質被用於晶片內的溫度感測器。
- A. 正確。溫度上升時能隙會稍微變小。
- B. 在多數半導體中，溫度上升會使能隙變小。
- C. 能隙會隨溫度而略微變化。