什麼是施體

對半導體提供電子的雜質。對矽而言,是磷(P)、砷(As)等 V 族元素,用來形成 n 型半導體。

日文名稱: ドナー

「施體」出現在1領域的2道練習題中(矽晶圓等)。

這個名詞所屬的領域: 半導體物性

練習施體的題目

將CZ矽在450℃附近熱處理時,氧原子會聚集並作為施體作用,使晶圓的電阻率改變。這稱為什麼?

  1. A吸附位置
  2. B熱施體
  3. C深受體
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正確答案:B. 熱施體

將含有間隙氧的CZ矽在350〜500 ℃進行熱處理,會形成由數個氧原子聚集而成的集合體,作為釋放電子的施體發揮作用(熱施體,thermal donor)。它在450 ℃附近形成最快,最多可達10¹⁶ cm⁻³左右,所以特別是低濃度的p型晶圓,電阻率會大幅改變,甚至反轉成n型。可以用650 ℃左右以上的短時間熱處理消除,在晶圓出貨時就會處理。

解析中的「施體」

出現「施體」的題目(2題)

  1. 將CZ矽在450℃附近熱處理時,氧原子會聚集並作為施體作用,使晶圓的電阻率改變。這稱為什麼?
  2. 在CZ晶體成長中微量添加氮(氮摻雜),其已知的效果是哪一項?

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