半導體物性
對矽中的電子施加強電場時，漂移速度會如何變化？
- A與電場成正比，無限增大
- B趨近某個值（約1×10⁷ cm/s），之後幾乎不再增加
- C電場越強則越小
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正確答案：B. 趨近某個值（約1×10⁷ cm/s），之後幾乎不再增加
電場較弱時，漂移速度與電場成正比，但電場變強後，載子因發射光學聲子而失去能量的散射增加，矽中的電子在約1×10⁷ cm/s達到飽和（速度飽和）。因此在短通道MOSFET中，電流不再與閘極電壓的平方成正比，而是大致與一次方成正比。在GaAs中，強電場下電子會躍遷到較重的能谷而使速度下降，這被用於耿氏效應的振盪。
- A. 只有在弱電場範圍內才與電場成正比。
- B. 正確。強電場下會發生速度飽和。
- C. 在強電場下速度下降的是GaAs等部分材料，矽則是飽和。