半導體物性
下列何者最接近矽的相對介電常數？
- A約11.7
- B約80
- C約3.9
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正確答案：A. 約11.7
矽的相對介電常數約為11.7，用於計算空乏層寬度（W = √(2εV/qN)）和接面電容。SiO2約為3.9，閘極絕緣膜的性能是以此值為基準的等效氧化層厚度（EOT）來比較。若使用HfO2（約20～25）等High-k材料，就能在物理上做得較厚以抑制穿隧電流，同時獲得與薄SiO2相同的電容。配線之間則相反，使用介電常數低的Low-k材料。
- A. 正確。矽的相對介電常數約為11.7。
- B. 約80是水的相對介電常數。
- C. 約3.9是二氧化矽（SiO2）的相對介電常數。