什麼是能隙
價電帶頂端與導電帶底端之間的能量差。矽在室溫下約為 1.12 eV。能隙越大，越耐高溫與高電壓。
日文名稱: バンドギャップ
「能隙」出現在3領域的6道練習題中（雙載子電晶體, 先進電晶體（FinFET與GAA）, 類比與電子電路等）。
這個名詞所屬的領域: 半導體物性
練習能隙的題目
在NPN電晶體中，使射極的雜質濃度高於基極，其主要理由是哪一個？
- A為了提高射極注入效率，增大電流增益
- B為了提高集極的耐壓
- C為了增大基極電阻
關於SiGe HBT（異質接面雙極性電晶體），下列特徵何者正確？
- A是將基極做成金屬的電晶體
- B基極採用SiGe的異質接面，容易工作到高頻率
- C電流增益固定在1以下
解析中的「能隙」
若射極濃度過高，會因能隙窄化而使效果減弱，所以HBT在射極採用能隙較大的材料來解決。
在NPN電晶體中，使射極的雜質濃度高於基極，其主要理由是哪一個？SiGe HBT是在基極使用能隙較小的SiGe的異質接面雙極性電晶體。
關於SiGe HBT（異質接面雙極性電晶體），下列特徵何者正確？利用這個性質，可將VBE本身用於溫度感測器或參考電壓電路（能隙參考電路）。
在主動區工作的矽雙極性電晶體，其基極-射極間電壓VBE的參考值，下列何者正確？以適當的比例將它們相加，溫度係數便會抵消，得到接近矽能隙（0 K時約1.2 V）的穩定電壓。
將溫度係數相反的兩個電壓相加，產生不易受溫度影響的約1.2 V參考電壓的電路是哪一個？但介電常數越大的材料，能隙往往越小，須在與漏電的取捨之間做選擇。
「High-k 閘極絕緣膜」中的 k 表示什麼？
出現「能隙」的題目（6題）
相關名詞
HBT(異質接面雙載子電晶體) 電流增益(hFE) SiGe(矽鍺) 主動區 低介電常數材料(Low-k) 奈米片 臨界電壓 功函數 本質載子濃度 有效質量