在矽這類間接躍遷型半導體中，電子與電洞複合而發光的機率低，其原因下列何者正確？

正確答案：A. 導帶底部與價電帶頂端的動量不同，躍遷需要聲子參與

在間接躍遷型中，導帶底部與價電帶頂端在動量（波數）空間中相距甚遠。光子幾乎無法攜帶動量，因此躍遷必須有聲子同時參與，輻射複合的機率比直接躍遷型低好幾個數量級。在這期間，能量會因SRH複合等而變成熱，所以矽不適合作為發光元件。矽光子學中將InP等貼合作為光源，就是這個緣故。

• A. 正確。為了動量守恆，需要聲子。
• B. 遷移率的差異不是決定發光機率的原因。
• C. 矽的能隙（約1.12 eV）並不特別大，不是難以發光的原因。