半導體物性

下列何者最接近室溫下矽的本質載子濃度?

  1. A約1×10⁴ cm⁻³
  2. B約1×10¹⁰ cm⁻³
  3. C約1×10²² cm⁻³
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正確答案:B. 約1×10¹⁰ cm⁻³

矽的本質載子濃度在室溫下約為1×10¹⁰ cm⁻³(依文獻為1.0~1.5×10¹⁰)。與原子密度約5×10²² cm⁻³相比,大約每10¹²個原子才有1個自由載子。鍺約為2×10¹³,GaAs約為2×10⁶ cm⁻³,能隙越大,數值就小上好幾個數量級。ni之所以這麼小,正是只需少許摻雜就能自在控制導電性的原因。

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