半導體物性
下列材料中，能隙最大的是哪一個？
- A矽（Si）
- B鍺（Ge）
- C二氧化矽（SiO2）
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正確答案：C. 二氧化矽（SiO2）
SiO2的能隙約為9 eV，非常大，是良好的絕緣體，與矽（約1.12 eV）、鍺（約0.66 eV）相差一個數量級。不僅能隙大，與矽側的導帶偏移（約3.1 eV）也很大，因此電子很難越過閘極絕緣膜。High-k材料（HfO2約5.8 eV）雖然介電常數高，但能隙較小，需在與漏電流之間取得平衡後選用。
- A. 矽約為1.12 eV，比SiO2小得多。
- B. 鍺約為0.66 eV，是三者中最小的。
- C. 正確。SiO2是具有約9 eV大能隙的絕緣體。