什麼是有效質量

將晶體中的電子或電洞視為對外力自由的粒子時所使用的表觀質量。由能帶的彎曲程度決定,越小,遷移率越容易變高。

日文名稱: 有効質量

「有效質量」出現在1領域的2道練習題中(先進電晶體(FinFET與GAA)等)。

這個名詞所屬的領域: 半導體物性

練習有效質量的題目

對電晶體通道施加應變(應力)之技術的主要目的為何?

  1. A使臨界電壓成為 0 V
  2. B提高載子的遷移率,增加驅動電流
  3. C縮小閘極電容
查看答案與解析

正確答案:B. 提高載子的遷移率,增加驅動電流

對矽晶體施加應變會改變能帶結構,使載子的有效質量與散射減少,遷移率因而提升。對 nMOS 而言,沿電流方向的拉伸應變有效,對 pMOS 則是壓縮應變有效;pMOS 採用在源極、汲極嵌入 SiGe 的方法,nMOS 則採用以具拉伸應力的氮化膜覆蓋等方法。自 90 nm 世代(約 2003 年)起導入,與微縮並列為提升性能的支柱。

作為 pMOS 的通道材料,SiGe 或鍺被研究、採用以取代矽,其原因為何?

  1. A因為電洞的遷移率高
  2. B因為電子的遷移率非常低
  3. C因為材料價格便宜
查看答案與解析

正確答案:A. 因為電洞的遷移率高

鍺與 SiGe 的電洞有效質量小,電洞遷移率比矽高,因此能增大 pMOS 的驅動電流。SiGe 的性質接近矽,容易整合到既有製程,而且因能帶位置偏移,也有助於搭配金屬閘極調整臨界電壓,所以在先進製程中被採用為 pMOS 的通道。Ge 100% 的通道也在研究中。

解析中的「有效質量」

出現「有效質量」的題目(2題)

  1. 對電晶體通道施加應變(應力)之技術的主要目的為何?
  2. 作為 pMOS 的通道材料,SiGe 或鍺被研究、採用以取代矽,其原因為何?

相關名詞

遷移率 SiGe(矽鍺) 臨界電壓 功函數 本質載子濃度 受體 施體 能隙 費米能階 間接能隙

前往名詞解釋列表