半導體物性
施體濃度為1×10¹⁶ cm⁻³的n型矽（施體全部離子化，本質載子濃度ni = 1×10¹⁰ cm⁻³），其電洞濃度約為多少？
- A1×10⁴ cm⁻³
- B1×10⁶ cm⁻³
- C1×10¹⁰ cm⁻³
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正確答案：A. 1×10⁴ cm⁻³
由於施體全部離子化，電子濃度為 n ≈ 1×10¹⁶ cm⁻³。根據質量作用定律 n × p = ni²，p = (1×10¹⁰)² ÷ 1×10¹⁶ = 1×10⁴ cm⁻³。雖然少數載子只有多數載子的一兆分之一，但PN接面的逆向電流和雙載子電晶體的動作都是由這些少數載子負責。ni隨溫度急遽增加，因此少數載子濃度在高溫下也會大幅增加。