在雜質濃度低的矽中，溫度上升時遷移率下降的主要原因為下列何者？

正確答案：C. 因為晶格振動（聲子）造成的散射增加

溫度上升時，晶體中原子的振動（聲子）變得劇烈，載子更容易被散射，遷移率因而下降。在低摻雜的矽中，遷移率大約按 T^(−1.5～−2.5) 的比例下降。在雜質濃度高或低溫時，離子化雜質的散射占主導，而這種散射會隨溫度上升而減弱。MOSFET的電流在高溫下減少，主要也是因為這種遷移率下降。