半導體物性

同時含有施體濃度5×10¹⁶ cm⁻³與受體濃度2×10¹⁶ cm⁻³的矽(室溫、全部離子化),其性質下列何者正確?

  1. A為p型,電洞濃度約2×10¹⁶ cm⁻³
  2. B為n型,電子濃度約3×10¹⁶ cm⁻³
  3. C為n型,電子濃度約7×10¹⁶ cm⁻³
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正確答案:B. 為n型,電子濃度約3×10¹⁶ cm⁻³

施體與受體同時存在時會互相抵消(補償),呈現數量較多者的型別。施體較多所以是n型,電子濃度為兩者之差 5×10¹⁶ − 2×10¹⁶ = 3×10¹⁶ cm⁻³。不過,載子會被合計7×10¹⁶ cm⁻³的離子化雜質所散射,因此遷移率比相同電子濃度的無補償材料更低。在井(well)中製作源極、汲極時,也是利用這種抵消(反摻雜)來反轉導電型。

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