半導體物性 關於矽中電子與電洞遷移率的比較，下列何者正確？ A電子的遷移率較大 B電洞的遷移率較大 C兩者永遠相等 查看答案與解析 正確答案：A. 電子的遷移率較大 在矽中，室溫、低雜質濃度下電子的遷移率約為1400 cm²/V·s，電洞約為450 cm²/V·s，電子約大3倍，主要原因是電洞的有效質量較大。因此在相同尺寸下，nMOS能通過較大的電流，CMOS中基本做法是將pMOS的閘極寬度設為nMOS的2～3倍，以使驅動能力相當。先進製程則利用SiGe造成的壓縮應變來提高pMOS的遷移率。