半導體物性
提高矽的雜質濃度時，載子遷移率一般會如何變化？
- A不變
- B變小
- C變大
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正確答案：B. 變小
雜質濃度提高時，離子化雜質造成的庫侖散射（離子化雜質散射）增加，遷移率隨之下降。矽中的電子，在10¹⁵ cm⁻³時約為1350 cm²/V·s，到10¹⁹ cm⁻³時降至約100 cm²/V·s左右。因此電阻率的下降幅度不會像濃度增加那樣大。這是希望將MOSFET通道維持在低摻雜的原因之一，FinFET和GAA就可以使用低摻雜的通道。
- A. 雜質濃度對遷移率有很大的影響。
- B. 正確。離子化雜質散射增加，遷移率下降。
- C. 雜質增加會使散射增加，因此遷移率不會變大。