半導體物性
關於矽中磷所形成的施體能階在能隙內的位置，下列何者正確？
- A非常靠近導帶底端（低於導帶約0.045 eV）
- B非常靠近價電帶頂端
- C大致位於能隙中央
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正確答案：A. 非常靠近導帶底端（低於導帶約0.045 eV）
磷的施體能階距導帶底端僅約0.045 eV，非常淺，即使是室溫的熱能（約0.026 eV），幾乎全部都會離子化而供應電子。砷約為0.054 eV，硼的受體能階距價電帶約0.045 eV。淺能階因母體介電常數而使束縛減弱，因此可用氫原子模型估算。能隙中央附近的深能階則來自金等雜質，會成為複合中心。