電子濃度為1×10¹⁶ cm⁻³、電子遷移率為1000 cm²/V·s的n型矽，其電阻率約為多少？（忽略電洞的貢獻，基本電荷1.6×10⁻¹⁹ C）

正確答案：B. 約0.6 Ω·cm

電導率為 σ = qnμ = 1.6×10⁻¹⁹ × 1×10¹⁶ × 1000 = 1.6 S/cm，電阻率為其倒數 ρ ≈ 0.63 Ω·cm。「ρ ≈ 1/(qnμ)」是由晶圓電阻率估算摻雜濃度的基本式。實務上會使用包含遷移率濃度相依性的換算表（ASTM規格等），例如1～10 Ω·cm的p型晶圓相當於硼約10¹⁵ cm⁻³的等級。