半導體物性
下列何者最接近雜質少的矽在室溫下的電子遷移率？
- A約14 cm²/(V·s)
- B約140,000 cm²/(V·s)
- C約1,400 cm²/(V·s)
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正確答案：C. 約1,400 cm²/(V·s)
低摻雜矽在室溫下的遷移率，電子約為1,400 cm²/(V·s)，電洞約為450 cm²/(V·s)。不過在MOSFET的通道中，由於表面粗糙及界面電荷造成的散射，會降到約一半以下。GaAs的電子約為8,500，InSb約為77,000 cm²/(V·s)，化合物半導體中有速度大幅更快的材料，被用於高頻用途。摻雜量增加時，任何材料的遷移率都會下降。
- A. 約14 cm²/(V·s)小了2個數量級。
- B. 約140,000 cm²/(V·s)大了2個數量級。即使是高遷移率的化合物半導體也沒有這麼大。
- C. 正確。電子約為1,400 cm²/(V·s)。