半導體物性
下列何者最接近室溫下鍺（Ge）的能隙？
- A約0.66 eV
- B約1.42 eV
- C約1.12 eV
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正確答案：A. 約0.66 eV
鍺的能隙在室溫下約為0.66 eV，比矽的約1.12 eV小，光的吸收邊約為1.9 µm。基於這項性質，它被用於光通訊波長（1.3～1.55 µm）的受光元件。最早的電晶體（1947年）使用的是Ge，但由於能隙小而容易增加漏電流，且無法製作良好的氧化膜，因此把主角讓給了矽。現在則善用其遷移率，以SiGe的形式使用。
- A. 正確。Ge是能隙比矽更小的半導體。
- B. 約1.42 eV是GaAs（砷化鎵）的值。
- C. 約1.12 eV是矽的值。