半導體物性

半導體的真空能階到導帶底端的能量差稱為什麼?

  1. A電子親和力
  2. B功函數
  3. C能隙
查看答案與解析

正確答案:A. 電子親和力

電子親和力(χ)是將導帶底部的電子取出到真空中所需的能量,矽約為4.05 eV。它是物質固有的值,不隨雜質濃度而改變。相對地,功函數是從費米能階到真空能階的差,會隨雜質濃度而改變。在接合不同半導體的異質接面中,電子親和力之差決定了導帶的偏移(ΔEc)(安德森定則)。

練習這個領域 前往領域頁面

半導體物性的其他題目

  1. 在雜質濃度低的矽中,溫度上升時遷移率下降的主要原因為下列何者?
  2. 下列何者最接近室溫下矽的本質載子濃度?
  3. 下列何者最接近矽晶體的原子密度?
  4. 關於電洞(hole)的說明,下列何者正確?
  5. 下列何者最接近室溫下鍺(Ge)的能隙?