什麼是本質載子濃度

不含雜質的半導體中，因熱而產生的電子與電洞的密度(記為 ni)。在矽中室溫下約為 1×10¹⁰ cm⁻³，溫度上升時急遽增加。熱平衡時 n × p = ni² 成立。

日文名稱: 真性キャリア密度