半導體物性 下列何者最接近室溫下矽（Si）的能隙？ A約0.66 eV B約1.12 eV C約3.4 eV 查看答案與解析 正確答案：B. 約1.12 eV 矽的能隙在室溫下約為1.12 eV，可吸收的光波長上限約為1.1 µm（1240÷1.12）。約0.66 eV是鍺，因能隙較小，高溫時漏電流容易增加；約3.4 eV是GaN，為適合高耐壓、高溫操作及藍光LED的寬能隙半導體。矽介於兩者之間，再加上能製作出良好的熱氧化膜（SiO2），因而成為LSI的主角。