半導體物性
關於物質功函數的定義，下列何者正確？
- A真空能階到導帶底端的能量差
- B導帶底端到價電帶頂端的能量差
- C真空能階到費米能階的能量差
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正確答案：C. 真空能階到費米能階的能量差
功函數是將位於費米能階的電子取出到真空中所需的能量，即真空能階與費米能階的差。在半導體中，費米能階會隨雜質濃度而移動，因此功函數也會改變（矽約為4.05～5.17 eV）。金屬與半導體的功函數差會左右蕭特基能障和MOS的臨界電壓，金屬閘極的材料（TiN、TiAl等）則是依能得到目標臨界電壓的功函數來選擇。
- A. 真空能階到導帶底端的差是電子親和力。
- B. 導帶底端與價電帶頂端的差是能隙。
- C. 正確。功函數是真空能階與費米能階的差。