半導體物性
對遷移率為1000 cm²/V·s的電子施加100 V/cm的電場時，漂移速度是多少？
- A1×10³ cm/s
- B1×10⁵ cm/s
- C1×10⁷ cm/s
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正確答案：B. 1×10⁵ cm/s
漂移速度為 v = μE，所以 1000 cm²/V·s × 100 V/cm = 1×10⁵ cm/s。單位為 cm²/V·s × V/cm = cm/s，可藉由確認單位來驗算。不過，只有在弱電場範圍內才成正比，矽中的電子在超過約10⁴ V/cm之後，增加幅度就會變緩，並在約1×10⁷ cm/s達到飽和（速度飽和）。微細MOSFET的通道就是在這個強電場區域中運作。