熱平衡狀態下半導體的電子濃度n與電洞濃度p的乘積（n×p），下列何者正確？（ni：本質載子濃度）

正確答案：B. 等於ni的平方

在熱平衡狀態下，即使摻入雜質，n × p = ni² 仍然成立（質量作用定律）。電子增加後，可供複合的對象變多，電洞便會相應減少。例如在矽（ni ≈ 1×10¹⁰ cm⁻³）中摻入1×10¹⁶ cm⁻³的施體，電洞濃度為1×10⁴ cm⁻³。在有光照射或電流注入的非平衡狀態下則不成立，此時 np > ni²。