半導體物性
電子與電洞經由禁帶中形成的深能階(陷阱)而複合的過程稱為什麼?
- ASRH(蕭克利-里德-霍爾)複合
- B輻射複合
- C歐傑複合
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正確答案:A. SRH(蕭克利-里德-霍爾)複合
金屬雜質或晶體缺陷所形成的深能階(陷阱)依序捕獲電子與電洞,使其複合的過程就是SRH複合。陷阱的能階越接近能隙中央,作用越有效率。在矽這類間接躍遷型中,它是主要的複合過程,決定了少數載子的生命期。空乏層內由SRH過程造成的產生,也是pn接面逆向漏電流和影像感測器暗電流的主要原因。
- A. 正確。經由陷阱的複合就是SRH複合。
- B. 輻射複合是電子與電洞直接複合而發光的過程,在直接躍遷型半導體中較容易發生。
- C. 歐傑複合是釋放的能量傳給其他載子的過程,在載子濃度高時較為明顯。