什麼是線邊緣粗糙度(LER)

正確答案：C. 線邊緣粗糙度（LER）

LER是表示圖案側面凹凸程度的指標（通常以3σ表示），以線寬變異來表示的則稱為LWR。當線寬縮到20 nm左右時，即使只有2～3 nm的凹凸也會超過線寬的一成，成為電晶體臨界電壓與配線電阻變異的原因。其成因是光阻分子的大小、酸的擴散，以及光子數的機率性起伏，可透過蝕刻時的平滑化等方式改善。

正確答案：C. 因為EUV光每個光子的能量大，即使曝光量相同，光子數也較少

每個光子的能量與波長成反比，EUV（13.5 nm，約92 eV）約為ArF（193 nm，約6.4 eV）的14倍。若曝光量相同，照射到的光子數只有1/14，例如進入20 nm見方範圍內的光子只有數百至數千個左右，其數量在統計上會有約√N的變異。這就是隨機效應，會造成圖案缺損、橋接（相連）、LER，以及小孔無法開出等缺陷。增加曝光量可以改善，但產能會下降。