什麼是自由基
具有未成對電子、化學上極易反應的中性原子或分子。電漿中的數量遠多於離子，負責化學性的蝕刻與成膜。
日文名稱: ラジカル
「自由基」出現在1領域的4道練習題中（氧化與擴散等）。
這個名詞所屬的領域: 蝕刻
練習自由基的題目
關於使用氧自由基的自由基氧化，下列特徵何者正確？
- A即使在較低溫度也能製作優質氧化層，且晶面方向造成的氧化速率差異也小
- B必定需要 1200 ℃ 以上的高溫
- C氧化層的厚度會因晶面方向而大幅不同
解析中的「自由基」
以電漿等產生的氧自由基反應性高，因此即使在 400～600 ℃ 左右的較低溫度，也能形成接近熱氧化的優質氧化層。
關於使用氧自由基的自由基氧化，下列特徵何者正確？像 FinFET 這類頂面與側面晶面方向不同的結構，氧化層厚度會隨位置而異，因此會採用受晶面方向影響較小的自由基氧化或 ALD 來成膜。
關於矽熱氧化中氧化速率對晶面方向的依賴性，下列何者正確？產生的氧自由基（O）反應性高，能在短時間內形成緻密且介面良好的薄氧化層。
在晶圓表面附近使氫與氧反應，於短時間內製作優質薄氧化層的方法為何？在先進製程中，為了降低熱預算，也越來越常以自由基氧化等方式在更低的溫度氧化。
矽的熱氧化一般進行的溫度範圍，下列何者最接近？
出現「自由基」的題目（4題）
相關名詞
熱氧化 FinFET(鰭式場效電晶體) 電漿 3D NAND ALD(原子層沉積) STI(淺溝槽隔離) 天線效應 灰化 自偏壓 非等向性蝕刻