傾斜晶圓進行離子佈植時，因光阻等高圖案的陰影而產生無法被佈植的部分，這種現象稱為什麼？

正確答案：C. 陰影效應（shadowing）

為了因應通道效應或進行暈環佈植而將晶圓傾斜佈植時，離子無法到達高大的光阻或閘極所遮蔽的部分（陰影效應）。被佈植的區域會左右不對稱，成為電晶體特性在源極側與汲極側不同的原因。因此會採取將晶圓每次旋轉90°、從四個方向佈植（四象限模式，quad mode）等做法，並設計光阻的高度與傾斜角。