什麼是3D NAND

練習3D NAND的題目

解析中的「3D NAND」

• 由於平面微縮在 15 nm 前後逼近極限，NAND 將單元往縱向堆疊的 3D NAND 自 2013 年前後開始量產，並成為主流。

  關於 3D NAND 型快閃記憶體的說明，下列何者正確？

• SiO2/SiN/SiO2 的堆疊（ONO）可連續沉積在孔壁上，是與縱向堆疊的 3D NAND 相容性良好的結構。

  3D NAND 中常用的電荷捕捉型單元，用來儲存電荷的層，其一般材料為何？

• 3D NAND 在 2013 年前後以 24 層起步，每一世代都增加堆疊層數。

  近年 3D NAND 的堆疊層數，最接近下列何者？

• 3D NAND 中，成為字元線的導電層堆疊了數百層，因此將陣列的端部加工成階梯狀，使各層的上表面露出，並在那裡立起接點。

  3D NAND 中，為了將配線連接到堆疊的各層字元線，而將端部加工成階梯狀的結構稱為什麼？

• 與一般熱氧化相比，晶面方向造成的氧化速率差異與轉角部分的氧化延遲都較小，且氮化膜也能被氧化，因此被用於 FinFET 鰭片與 3D NAND 這類立體結構，以及熱預算嚴格的製程之氧化。

  關於使用氧自由基的自由基氧化，下列特徵何者正確？

出現「3D NAND」的題目（6題）

1. 關於 3D NAND 型快閃記憶體的說明，下列何者正確？
2. 3D NAND 中常用的電荷捕捉型單元，用來儲存電荷的層，其一般材料為何？
3. 近年 3D NAND 的堆疊層數，最接近下列何者？
4. 3D NAND 中，為了將配線連接到堆疊的各層字元線，而將端部加工成階梯狀的結構稱為什麼？
5. 3D NAND 中，將感測放大器等周邊電路配置在記憶單元陣列下方的結構（CMOS under Array 等），其主要優點為何？
6. 關於使用氧自由基的自由基氧化，下列特徵何者正確？

出現這個名詞的比較

• NAND 型與 NOR 型快閃記憶體的差異：速度、容量、用途比較從單元的連接方式、讀取速度、抹除單位、容量、成本、可靠度與用途等面向，以表格比較 NAND 型與 NOR 型快閃記憶體。
• SLC、MLC、TLC、QLC 的差異：壽命、速度、成本比較從每個單元的位元數、抹寫壽命、速度、成本、錯誤率與使用的 SSD 等面向，以表格比較 SLC、MLC、TLC、QLC 的 NAND 型快閃記憶體。
• SSD 與 HDD 的差異：比較速度、耐用度與成本以資料記錄方式、速度、延遲、耐衝擊性、噪音、耗電量、每 TB 成本、容量、壽命與適合的用途等面向，用表格比較 SSD 與 HDD。

相關名詞

TLC(三階儲存單元) 電荷捕捉型單元 浮動閘極 字元線 光阻 感測放大器 CMOS 自由基 電漿 熱氧化