什麼是暈環佈植(口袋佈植)
在源極與汲極的邊緣，傾斜佈植與通道相同導電型雜質的方法。可抑制汲極空乏區的擴展，抑制短通道效應。
日文名稱: ハロー注入(ポケット注入)
「暈環佈植(口袋佈植)」出現在2領域的4道練習題中（離子佈植, MOSFET等）。
這個名詞所屬的領域: 離子佈植
練習暈環佈植(口袋佈植)的題目
關於MOSFET的衝穿（punch-through）的說明，下列何者正確？
- A通道的遷移率因溫度而下降
- B源極與汲極的空乏層相連，流過無法由閘極控制的電流
- C閘極絕緣膜發生絕緣崩潰
在源極、汲極端斜向佈植與通道相同導電型雜質的暈環（halo，亦稱口袋）佈植，其主要目的為下列何者？
- A降低閘極電極的電阻
- B抑制短通道效應
- C使電晶體發光
解析中的「暈環佈植(口袋佈植)」
對策包括在源極、汲極下方加入高濃度層（暈環/口袋佈植）、使接面變淺，以及像FinFET或GAA那樣以閘極包圍通道，消除無法控制的電流路徑。
關於MOSFET的衝穿（punch-through）的說明，下列何者正確？暈環佈植是將晶圓傾斜約20～45°，使其潛入閘極下方，在源極、汲極端附近局部導入與通道相同導電型的雜質。
在源極、汲極端斜向佈植與通道相同導電型雜質的暈環（halo，亦稱口袋）佈植，其主要目的為下列何者？為了因應通道效應或進行暈環佈植而將晶圓傾斜佈植時，離子無法到達高大的光阻或閘極所遮蔽的部分（陰影效應）。
傾斜晶圓進行離子佈植時，因光阻等高圖案的陰影而產生無法被佈植的部分，這種現象稱為什麼？離子佈植機依劑量與能量的範圍，分為中電流（臨界電壓調整或暈環佈植等，10¹¹～10¹⁴ cm⁻²）、高電流（源極、汲極等高劑量）、高能量（深井區等）。
主要用於MOSFET的臨界電壓調整或井區等中等劑量佈植的離子佈植機為下列何者？
出現「暈環佈植(口袋佈植)」的題目（4題）
相關名詞
貫穿(Punch-through) 臨界電壓 離子佈植 空乏層 FinFET(鰭式場效電晶體) GAA(環繞式閘極) 遷移率 光阻 通道效應(Channeling) 尖峰退火