蝕刻

以電漿將曝光形成的光阻圖案逐步縮細,製作出比曝光極限更細的線條,這種手法是下列何者?

  1. A光阻修整(細化)
  2. B回流
  3. C邊緣光阻去除
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正確答案:A. 光阻修整(細化)

光阻修整是以氧系電漿等對光阻圖案進行等向性的逐步蝕除,使線寬變細的手法。例如曝光形成50 nm的線,再以修整縮至30 nm,一向用於形成比微影可解析寬度更細的閘極。不過間距(重複的間隔)不會變細,蝕除量的變異與LER會直接變成尺寸的變異,因此控制很重要。

  • A. 正確。將光阻縮細以製作細線。
  • B. 回流是加熱使膜流動的處理。
  • C. 邊緣光阻去除是去除晶圓外圍光阻的處理。
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