イオン注入とは

いおんちゅうにゅう

不純物をイオン化し、加速してウエハに打ち込む技術。注入量と深さを精密に制御できる。

イオン注入後の不純物の深さ分布 深さ 表面 不純物濃度 Rp（投影飛程） ΔRp（広がり） ピーク チャネリングによる裾

この用語の分野: イオン注入

解説の中の「イオン注入」

「イオン注入」が出てくる問題(49問)

  1. イオン注入で、不純物が打ち込まれる深さ(飛程)を主に決めるパラメータはどれか。
  2. イオン注入後にアニール(熱処理)を行う主な目的として正しいものはどれか。
  3. イオン注入でチャネリング(イオンが結晶のすき間を通って深く入りすぎる現象)を抑える方法として一般的なものはどれか。
  4. イオン注入のドーズ量を表す単位として正しいものはどれか。
  5. イオン注入後の不純物の深さ方向の分布を近似的に表す分布と、そのピークの深さを表す量の組み合わせとして正しいものはどれか。
  6. イオン注入装置で、磁場を使って目的のイオン種だけを選び出す部分はどれか。
  7. 熱拡散と比べたときのイオン注入の主な利点はどれか。
  8. イオン注入中のウエハの帯電(チャージアップ)を抑えるために用いられるものはどれか。
  9. CMOSのウェル形成で、高エネルギーのイオン注入を使って、表面より深い位置の不純物濃度を高くしたウェルを何と呼ぶか。
  10. イオン注入後のアニールの初期に、注入で生じた格子間シリコンの影響で、ボロンなどの拡散が一時的に速くなる現象を何と呼ぶか。
  11. ソース・ドレインの形成のように、大きなドーズ量を短い時間で注入するために使われるイオン注入装置はどれか。
  12. 同じアニール条件で、イオン注入のドーズ量を増やすと注入層のシート抵抗は一般にどうなるか。
  13. イオン注入のマスクとしてフォトレジストを使うときに注意すべき点はどれか。
  14. ウエハを傾けてイオン注入を行う際に、レジストなどの高いパターンの陰になって注入されない部分ができる現象を何と呼ぶか。
  15. イオン注入で、ウエハ面内のドーズを均一にするための方法として正しいものはどれか。

関連する用語

ドーズ量 アニール 熱拡散 フォトレジスト アッシング プラズマ ファラデーカップ しきい値電圧 アクセプタ チャネリング

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