しきい値電圧とは

しきいちでんあつ

MOSFETでチャネル(反転層)が形成され、電流が流れ始めるゲート電圧。Vthと書く。

nチャネルMOSFETの断面（オンの状態） p型基板 ソース n⁺ ドレイン n⁺ ゲート VGS > Vth 電子の反転層（チャネル） ゲート絶縁膜

この用語の分野: MOSFET

解説の中の「しきい値電圧」

「しきい値電圧」が出てくる問題(59問)

  1. エンハンスメント型のnチャネルMOSFETがオン(導通)するための条件として正しいものはどれか。(VGS:ゲート-ソース間電圧、Vth:しきい値電圧)
  2. 長チャネルのMOSFETが飽和領域で動作しているとき、ドレイン電流IDはおよそ何に比例するか。(VGS:ゲート-ソース間電圧、Vth:しきい値電圧)
  3. nチャネルMOSFETで、ソースに対して基板(ボディ)に負の電圧をかける(基板バイアスをかける)と、しきい値電圧はどうなるか。
  4. CMOSインバータの論理しきい値電圧を電源電圧のほぼ半分にするための設計として正しいものはどれか。
  5. エンハンスメント型pチャネルMOSFETのしきい値電圧(ソース基準)の符号はどれか。
  6. MOSFETのしきい値電圧を下げたときの一般的な影響として正しいものはどれか。
  7. MOSFETのしきい値電圧の絶対値は、温度が上がると一般にどうなるか。
  8. nMOSFETのチャネル領域(p型基板)の不純物濃度を高くすると、しきい値電圧はどうなるか。
  9. 他の条件を変えずにゲート絶縁膜を厚くすると、nMOSFETのしきい値電圧の大きさは一般にどうなるか。
  10. MOSFETのしきい値電圧を定義するときに用いられる「強反転」の条件として一般的なものはどれか。(φF:フェルミ電位)
  11. NANDフラッシュで、同じブロックを何度も読み出すうちに、読み出していないセルのしきい値電圧が少しずつ変化してしまう現象を何と呼ぶか。
  12. QLC(1セル4ビット)のNANDフラッシュで、1つのセルが区別しなければならないしきい値電圧の状態の数はいくつか。
  13. フラッシュメモリの消去で、フローティングゲートなどから電子を引き抜くと、セルのしきい値電圧はどうなるか。
  14. NANDフラッシュで、少しずつ電圧を上げた書き込みパルスを繰り返し、そのたびにしきい値電圧を確認しながら書き込む方式はどれか。
  15. 多値(MLCやTLC)のNANDフラッシュで、隣り合うしきい値電圧の状態に割り当てるビットの並びを、1ビットだけ異なるようにする理由として正しいものはどれか。

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移動度 空乏層 界面準位 イオン注入 仕事関数 SLC(シングルレベルセル) TLC(トリプルレベルセル) フラットバンド電圧 可動イオン 反転層

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