コンタクトとは
こんたくと
トランジスタのソース・ドレインやゲートと、最下層の配線をつなぐ部分。絶縁膜にあけたコンタクトホールにタングステンなどを埋め込んでつくる。
この用語の分野: 配線プロセス
解説の中の「コンタクト」
半導体側の不純物濃度を10²⁰ cm⁻³以上に高くすると障壁の幅が数nm以下に薄くなり、キャリアがトンネル効果で通り抜けやすくなるため、コンタクト抵抗が下がります。
金属と半導体のコンタクト抵抗を下げるための基本的な方法として正しいものはどれか。ゲートの上面と側面を窒化膜などで覆っておくと、コンタクトのエッチングがゲートの位置にずれても、窒化膜は酸化膜よりエッチングされにくいため絶縁膜で止まり、ゲートに届きません。
ゲートを絶縁膜で覆っておき、コンタクトの位置が多少ずれてもゲートとショートしないようにする技術はどれか。トランジスタをつくる部分(FEOL)と多層配線をつくる部分(BEOL)の中間にある、ソース・ドレインやゲートへのコンタクト、局所的な接続などの工程・構造をMOL(Middle of Line)と呼びます。
トランジスタ(FEOL側)と多層配線をつなぐ、コンタクトや局所的な配線の部分を指して使われる言葉はどれか。
「コンタクト」が出てくる問題(16問)
- 金属と半導体のコンタクト抵抗を下げるための基本的な方法として正しいものはどれか。
- ゲートを絶縁膜で覆っておき、コンタクトの位置が多少ずれてもゲートとショートしないようにする技術はどれか。
- トランジスタ(FEOL側)と多層配線をつなぐ、コンタクトや局所的な配線の部分を指して使われる言葉はどれか。
- 電子線を当てたときの帯電の違いによる明るさの差を利用して、コンタクトの導通不良などを検出する検査はどれか。
- NOR型と比べたときのNAND型フラッシュメモリの特徴として正しいものはどれか。
- 3D NANDで、積み重ねた各層のワード線に配線をつなぐために、端部を階段状に加工した構造を何と呼ぶか。
- 微細化が進んだトランジスタで、性能を制限する要因として重要性が増しているものはどれか。
- 将来の極微細トランジスタのチャネル材料として研究されている、二硫化モリブデン(MoS2)などの材料の特徴として正しいものはどれか。
- FinFETのソース・ドレインで、フィンの上にエピタキシャル成長で結晶を盛り上げる主な目的はどれか。
- シリコン窒化膜(Si3N4)の用途として正しいものはどれか。
- ドライエッチングのあとに、パターンの側壁などに残った反応生成物(ポリマー)を除去する理由として正しいものはどれか。
- 酸化膜をエッチングして、下にある窒化膜のところで止めたい場合に必要なものはどれか。
- 微細な構造の倒壊を防ぐため、液体を使わずに表面の自然酸化膜などを除去する方法はどれか。
- 多層配線におけるビアの説明として正しいものはどれか。
- 前工程を終えたウエハで、TEGのしきい値電圧やシート抵抗などを測り、工程が規格どおりにできたかを確認する検査を何と呼ぶか。
関連する用語
多層配線 移動度 選択比 シリサイド MOL(ミドル・オブ・ライン) NAND型フラッシュメモリ ビット線 3D NAND ワード線 オン抵抗