CMOSとは

しーもす

nMOSとpMOSを相補的に組み合わせた回路方式。定常状態で貫通電流がほとんど流れず、消費電力が小さい。

CMOSインバータ VDD pMOS 出力 nMOS GND 入力 入力が0のとき pMOSがオン、nMOSがオフ → 出力は1 入力が1のとき pMOSがオフ、nMOSがオン → 出力は0 どちらの状態でも片方がオフなので、 電源からGNDへ電流がほとんど流れない

この用語の分野: MOSFET

解説の中の「CMOS」

「CMOS」が出てくる問題(51問)

  1. バイポーラトランジスタとCMOSを同じチップに集積する技術とその狙いの組み合わせとして正しいものはどれか。
  2. CMOSインバータの静的(定常状態の)消費電力が小さい理由として正しいものはどれか。
  3. CMOSインバータの論理しきい値電圧を電源電圧のほぼ半分にするための設計として正しいものはどれか。
  4. CMOS論理ゲートの遅延時間をおおまかに表す式として適切なものはどれか。(C:負荷容量、V:電源電圧、I:駆動電流)
  5. CMOSの2入力NANDゲートのトランジスタの接続として正しいものはどれか。
  6. CMOSの「C(Complementary:相補型)」が表す意味として正しいものはどれか。
  7. CMOSインバータで、入力が切り替わる途中に電源からグラウンドへ流れる電流を何と呼ぶか。
  8. 3D NANDで、メモリセルアレイの下にセンスアンプなどの周辺回路を配置する構造(CMOS under Arrayなど)の主な利点はどれか。
  9. 近年、FeRAMや強誘電体トランジスタ(FeFET)の材料として注目されている、CMOSプロセスと相性のよい強誘電体材料はどれか。
  10. CMOS回路で、ほかの条件を変えずに電源電圧だけを半分にすると、動的消費電力はどうなるか。
  11. CMOSイメージセンサの各画素で、光を電荷に変換する素子はどれか。
  12. 裏面照射型(BSI)CMOSイメージセンサの主な利点として正しいものはどれか。
  13. CCDイメージセンサと比べたときの、CMOSイメージセンサの一般的な特長として正しいものはどれか。
  14. CMOSイメージセンサのローリングシャッター方式で、速く動く被写体がゆがんで写る理由として正しいものはどれか。
  15. CMOSイメージセンサの埋め込みフォトダイオード(ピンドフォトダイオード)で、表面に高濃度のp+層を設ける主な目的はどれか。

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移動度 フォトダイオード SiGe(シリコンゲルマニウム) 埋め込みフォトダイオード(ピンドフォトダイオード) ナノシート イオン注入 ラッチアップ 貫通電流 しきい値電圧 3D NAND

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