CMOSのウェル形成で、高エネルギーのイオン注入を使って、表面より深い位置の不純物濃度を高くしたウェルを何と呼ぶか。

正解：A. レトログレードウェル

レトログレードウェルは、高エネルギーの注入で深い位置に濃度のピークをもたせたウェルです。表面の濃度はトランジスタの特性に合わせて低めにしつつ、深い位置を高濃度にしてパンチスルーやラッチアップを抑えられます。長時間の熱拡散が不要になる利点もあります。