熱拡散とは
ねつかくさん
高温で不純物原子を半導体の中へ拡散させてドーピングする方法。濃度の高いところから低いところへ広がる。
この用語の分野: 酸化・拡散
解説の中の「熱拡散」
熱拡散では、不純物が表面から内部へ広がるため、濃度は表面が最も高くなだらかに減る分布しかつくれません。
エピタキシャル成長中に不純物を添加する方法が、熱拡散と比べて有利な点として正しいものはどれか。熱拡散は2段階で行われることが多く、まずプレデポジションで表面濃度を一定に保ちながら所定の量の不純物を浅く導入し、次にドライブインで供給を止めて加熱し、その量のまま内部へ広げて所定の深さと分布をつくります。
熱拡散で、表面に一定量の不純物を導入する工程のあとに、不純物をより深く押し込む工程を何と呼ぶか。熱拡散では表面濃度と深さが連動し、高温のため酸化膜マスクが必要でした。
熱拡散と比べたときのイオン注入の主な利点はどれか。
「熱拡散」が出てくる問題(8問)
- エピタキシャル成長中に不純物を添加する方法が、熱拡散と比べて有利な点として正しいものはどれか。
- 熱拡散で、表面に一定量の不純物を導入する工程のあとに、不純物をより深く押し込む工程を何と呼ぶか。
- 熱拡散で、表面の不純物濃度を一定に保ちながら拡散させた場合(定表面濃度拡散)と、決まった量の不純物を拡散させた場合(有限量の拡散)の分布の形の組み合わせとして正しいものはどれか。
- 熱拡散でシリコンにリンを導入するときに、液体の拡散源として使われてきた化合物はどれか。
- 熱拡散と比べたときのイオン注入の主な利点はどれか。
- SiCパワーデバイスの製造でエピタキシャル層が重要な理由として正しいものはどれか。
- CMOSのウェル形成で、高エネルギーのイオン注入を使って、表面より深い位置の不純物濃度を高くしたウェルを何と呼ぶか。
- イオン注入の原理として正しいものはどれか。
関連する用語
イオン注入 エピタキシャル成長 ドライブイン HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ) ホスフィン(PH3) フォトレジスト アニール SiC(炭化ケイ素) オン抵抗 キラー欠陥