プラズマドーピングとは
ぷらずまどーぴんぐ
ウエハをドーパントを含むプラズマに直接さらし、低エネルギーのイオンを注入する方法。高いドーズを速く入れやすく、フィンなどの立体構造にも比較的均一にドーピングしやすい。
この用語の分野: イオン注入
ぷらずまどーぴんぐ
ウエハをドーパントを含むプラズマに直接さらし、低エネルギーのイオンを注入する方法。高いドーズを速く入れやすく、フィンなどの立体構造にも比較的均一にドーピングしやすい。
この用語の分野: イオン注入
プラズマドーピングは、ビームを走査する方式と違ってウエハ全面に一度にイオンを当てるため、1 keV以下の低エネルギーでも10¹⁵〜10¹⁶ cm⁻²の高いドーズを短時間で注入できます。
ウエハをドーパントを含むプラズマに直接さらし、低エネルギーのイオンを注入するプラズマドーピングの利点として正しいものは…プラズマ ラジカル FinFET アニール イオン注入 過渡増速拡散(TED) 固溶度 シャドウイング スパイクアニール チャネリング