ドナーとは

どなー

半導体に電子を供給する不純物。シリコンに対してはリン(P)やヒ素(As)などのV族元素で、n型半導体をつくる。

この用語の分野: 半導体物性

解説の中の「ドナー」

「ドナー」が出てくる問題(16問)

  1. ドナー濃度1×10¹⁶ cm⁻³のn型シリコン(ドナーはすべてイオン化、真性キャリア密度ni = 1×10¹⁰ cm⁻³)の正孔密度はおよそいくらか。
  2. シリコン中のリンがつくるドナー準位の、バンドギャップ内での位置として正しいものはどれか。
  3. ドナー濃度5×10¹⁶ cm⁻³とアクセプタ濃度2×10¹⁶ cm⁻³の両方を含むシリコン(室温、すべてイオン化)の性質として正しいものはどれか。
  4. CZシリコンを450℃付近で熱処理すると、酸素原子が集まってドナーとして働き、ウエハの抵抗率が変わることがある。これを何と呼ぶか。
  5. シリコンにリン(P)を不純物として添加したときの説明として正しいものはどれか。
  6. n型半導体のフェルミ準位の位置として正しいものはどれか。
  7. 熱平衡状態の半導体における電子密度nと正孔密度pの積(n×p)として正しいものはどれか。(ni:真性キャリア密度)
  8. n型シリコンを極低温まで冷やしたとき、キャリア密度が大きく減少する理由として正しいものはどれか。
  9. シリコン結晶の原子密度に最も近い値はどれか。
  10. シリコン原子1個がもつ価電子(最外殻電子)の数はいくつか。
  11. GaAsにシリコンを添加してn型にするとき、シリコンが主に置き換わる位置はどれか。
  12. CZ結晶の育成中に窒素を微量に添加する(窒素ドープ)ことの効果として知られているものはどれか。
  13. GaN HEMT用のエピ構造で、チャネルの下のGaNバッファ層に炭素や鉄を添加する主な目的はどれか。
  14. イオン注入後にアニール(熱処理)を行う主な目的として正しいものはどれか。
  15. シリコンに注入する不純物と導電型の組み合わせとして正しいものはどれか。

関連する用語

アクセプタ 移動度 イオン注入 バンドギャップ サーマルドナー フェルミ準位 縮退半導体 真性キャリア密度 GaAs(ガリウムヒ素) ゲッタリング

用語集の一覧へ