イオン注入

イオン注入後のアニールの初期に、注入で生じた格子間シリコンの影響で、ボロンなどの拡散が一時的に速くなる現象を何と呼ぶか。

  1. A過渡増速拡散(TED)
  2. Bゲッタリング
  3. C偏析
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正解：A. 過渡増速拡散(TED)

イオン注入で生じた過剰な格子間シリコン原子は、ボロンなどの拡散を助けるため、アニールの初期に拡散が一時的に大きく増速します。これを過渡増速拡散(TED)といい、浅い接合をつくる妨げになるため、短時間アニールなどで抑えます。

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